| rdf:type | <https://jpsearch.go.jp/term/type/博士論文> |
| rdfs:label | "プラズマを利用した半導体表面清浄化に関する研究" |
| schema:name 2 | "プラズマを利用した半導体表面清浄化に関する研究" @ja |
| schema:name | "プラズマ オ リヨウシタ ハンドウタイ ヒョウメン セイジョウカ ニ カンスル ケンキュウ" @ja-kana |
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| schema:creator | <https://jpsearch.go.jp/entity/ncname/石井昌彦> (➜ "石井 昌彦") |
| schema:description 3 | "資料種別: 博士論文" |
| schema:description | "備考: 博士論文;博士論文 (NDLデジタルコレクション)" |
| schema:description | "分類: ndlc:UT51" |
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| schema:inLanguage | <http://id.loc.gov/vocabulary/iso639-2/jpn> (➜ "日本語") |
| schema:temporal | <https://jpsearch.go.jp/entity/time/1996> (➜ "1996年") |
| schema:tocEntry | "目次 / (0003.jp2);第1章 緒論 / p1 (0004.jp2);第2章 高真空ECRプラズマ源の試作と水素プラズマによるSi表面清浄化 / p7 (0007.jp2);2.1 緒言 / p7 (0007.jp2);2.2 高真空ECRプラズマ源の試作 / p7 (0007.jp2);2.3 水素プラズマによるSi表面の清浄化 / p18 (0013.jp2);2.4 水素プラズマによるSi表面のエッチング現象 / p25 (0016.jp2);2.5 結言 / p45 (0026.jp2);第3章 TOF-SARSを備えた超高真空ECRプラズマ源の開発と清浄化過程のその場観察 / p49 (0028.jp2);3.1 緒言 / p49 (0028.jp2);3.2 装置の構成およびTOF-SARS概要 / p49 (0028.jp2);3.3 水素プラズマによるSi表面清浄化過程の観察 / p54 (0031.jp2);3.4 Si表面のプラズマ照射損傷の評価 / p63 (0035.jp2);3.5 結言 / p72 (0040.jp2);第4章 プラズマにより清浄化したSi表面への電極形成 / p75 (0041.jp2);4.1 緒言 / p75 (0041.jp2);4.2 Arプラズマ照射によるAl-Si-Cu/Siコンタクト抵抗の安定化 / p75 (0041.jp2);4.3 水素プラズマ照射により清浄化したSi表面へのTi蒸着 / p94 (0051.jp2);4.4 結言 / p109 (0058.jp2);第5章 総括 / p112 (0060.jp2)...(more)" |